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配备UFS 3.0闪存 三星S10存储性能暴增

信息来源:eeesss.com   时间: 2018-12-26  浏览次数:72

  PChome手机频道资讯报道今年夏天的时候,就有消息称三星Galaxy S10可能会配备最新的存储规格,三星将使用UFS 3.0闪存以及LPDDR5 RAM,这将大幅度的提升Galaxy S10的速度表现,让该机成为性能最强大的手机,比任何其他Galaxy S系列手机要都快得多。

  最新的消息对此进行了证实,至少在理论上如此。UFS 3.0存储将在2019年推出,而更快的LPDDR5 RAM预计会在2020年正式出现在手机中。

根据外媒的的说法,UFS 3.0闪存除了存储速度上的提升外,在存储容量上也会相应提高,其将至提供128GB,256GB和512GB几种容量,这样的容量配备或许是由于成本上的考虑,64GB版本或许会显得非常不划算。

  根据外媒的的说法,UFS 3.0闪存除了存储速度上的提升外,在存储容量上也会相应提高,其将至提供128GB,256GB和512GB几种容量,这样的容量配备或许是由于成本上的考虑,64GB版本或许会显得非常不划算。

  不过此前的透露消息显示,三星Galaxy S10的入门版本是64GB内部存储空间,那么由此可以推选,入门版本的Galaxy S10手机会继续使用UFS 2.1闪存。

  LPDDR5内存的使用可以提升不少的存储速度,从LPDDR4的44GB/s提升到了51.2GB/s,并且它比LPDDR4会更高效,三星方面宣传它的功耗降低了20%。

  //article.pchome.net/content-2082753.html

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